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本发明提供一种背照式图像传感器封装结构及其制备方法,背照式图像传感器封装结构包括:支撑衬底;背照式图像传感器,位于支撑衬底上;激光通孔,位于支撑衬底内,且上下贯穿支撑衬底;介质层,位于激光通孔的侧壁及支撑衬底远离背照式图像传感器的表面;导电...该专利属于中芯长电半导体(江阴)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯长电半导体(江阴)有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种背照式图像传感器封装结构及其制备方法,背照式图像传感器封装结构包括:支撑衬底;背照式图像传感器,位于支撑衬底上;激光通孔,位于支撑衬底内,且上下贯穿支撑衬底;介质层,位于激光通孔的侧壁及支撑衬底远离背照式图像传感器的表面;导电...