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本发明提供一种应用于存储器的半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括如下步骤：1）提供一半导体衬底，半导体衬底内形成有沟槽；2）采用化学气相沉积工艺于沟槽内及半导体衬底上表面沉积第一层金属层；及，3）采用物理气相沉积工艺于第一层金属...
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