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本发明公开了一种芯片样品去层次的研磨方法，包括以下步骤：提供一面积大于芯片样品的圆晶片作为衬片，在衬片的正面均匀涂抹一层固化胶；将芯片样品置于衬片的正面，四周设置仿制芯片，仿制芯片的厚度不小于芯片样品；将衬片的反面放置在加热板上加热，至固化...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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