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包含接触结构的半导体装置制造方法及图纸
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下载包含接触结构的半导体装置的技术资料
文档序号:17348574
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本发明提供一种包含接触结构的半导体装置。半导体装置包含限定下部有源区的隔离区。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区以及第一栅极电极和第二栅极电极在下部有源区上。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区邻近于彼此。第一栅极遮盖图案和第二栅极遮盖图案分...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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