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本发明涉及半导体器件结构中温度效应的补偿。本公开提供了一种半导体器件结构，其包括：具有绝缘体上半导体(SOI)区和混合区的衬底，其中，SOI区和混合区被至少一个隔离结构隔开，该SOI区由设置在衬底材料之上的半导体层形成，并且掩埋绝缘材料被插...
该专利属于格罗方德半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体股份有限公司授权不得商用。

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