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本发明公开了一种用于基于存储器单元所属的三维存储器构造的确定层来选择用于对该存储器单元执行一个或多个操作的一个或多个参考电压的技术。一个或多个操作可以包括读取操作或写入操作。存储器单元可以是闪速存储器单元。...
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