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本发明公开了一种熔石英元件表面化学结构缺陷的去除方法，包括以下步骤：对熔石英元件表面进行Ar离子束溅射处理，Ar离子束能量为800～1000eV；Ar离子束流密度为10～20mA/cm...
该专利属于中国人民解放军国防科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军国防科技大学授权不得商用。

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