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本发明涉及制造三维存储器的后栅工艺，该工艺在金属栅形成之后，在沟槽侧壁、隔离层和金属层的表面沉积氮化钛薄膜，再用非等向等离子刻蚀方法将沟槽侧壁的氮化钛金属薄膜去除，余下附着在隔离层和金属栅的表面的部分氮化钛薄膜作为金属栅的阻挡层，阻止金属栅...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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