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本发明公开了一种表面态陷阱对器件输出特性影响的测量方法，主要解决目前无法单独测量表面态陷阱对器件输出特性影响的问题；其实现方案是：首先在被测器件的源极和漏极之间再新制作一个栅极，形成双栅结构；再测量器件的输出电流；接着对被测器件施加脉冲电压...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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