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本发明涉及一种采用蒸发镀膜‑电场诱导可控制备定向Bi‑Te‑Se纳米柱阵列的方法，主要制备步骤如下：将质量百分比纯度都为99.99％的Bi2Te2.7Se0.3和Te粉末质量比＝10:0.5～2均匀混合，在8MPa～10MPa压力下压制Bi...
该专利属于天津科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津科技大学授权不得商用。

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