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本发明涉及形成高k接触衬垫以改善有效贯孔间隔距离的方法及其产生的装置，其中，一种方法包括形成位在第一介电层中的第一与第二接触开口。至少第一接触开口与衬垫层至少部分排齐。第一传导特征是在第一接触开口中形成，并且第二传导特征是在第二接触开口中形...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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