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本发明涉及一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有条状鳍片；图案化所述条状鳍片，以在所述条状鳍片中形成凹槽，所述凹槽将所述条状鳍片分割为相互间隔的鳍片结构；沉积隔离材料层，以填充所述凹槽并覆...该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。