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本发明提供一种半导体装置结构的形成方法，包括：形成多个沟槽于基底中；形成内衬于沟槽的栅极介电层；以栅极材料填充沟槽；回刻蚀栅极材料以暴露沟槽的上部；以第一介电层再填充沟槽的上部且覆盖沟槽之间的基底表面；实行第一化学机械研磨工艺以部分地移除第...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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