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本发明提供了监测等离子体处理系统和工艺与工具控制的方法和系统。示例方法包括在真空处理等离子体处理室中的衬底。衬底的处理产生粘附到等离子体处理室的内部区域内的表面的颗粒残余物。方法包括表征衬底的处理性能，且在不破坏真空下在处理衬底后检测等离子...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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