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本发明涉及一种部分净形状和部分近净形状的碳化硅化学气相沉积。一种用于在衬底处理系统中制造具有暴露于等离子体的表面的结构的方法，包括：提供具有第一形状的牺牲衬底，将衬底加工成第二形状，所述第二形状具有对应于所述结构的期望最终形状的尺寸，在衬底...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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