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一种功率半导体芯片及其形成方法,其中功率半导体芯片包括:环形的结终端区域,位于所述功率半导体芯片边缘;由所述结终端区域包围的元胞区域,所述元胞区域内形成有元胞阵列,所述元胞为功率晶体管;所述元胞区域包括两个以上子区域,其中一个子区域为中心子...该专利属于嘉兴奥罗拉电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过嘉兴奥罗拉电子科技有限公司授权不得商用。
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一种功率半导体芯片及其形成方法,其中功率半导体芯片包括:环形的结终端区域,位于所述功率半导体芯片边缘;由所述结终端区域包围的元胞区域,所述元胞区域内形成有元胞阵列,所述元胞为功率晶体管;所述元胞区域包括两个以上子区域,其中一个子区域为中心子...