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本发明目的提供一种铌酸锂的黑化处理方法；一种无氧富锂浓度气氛条件下，高温（居里温度以下）处理铌酸锂晶片的工艺方法，通过此工艺方法可提高晶片的电导率，迅速消除由于温度变化而产生的表面电荷，不产生电荷累积，达到减弱热释电效应的目的。...
该专利属于中电科技德清华莹电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中电科技德清华莹电子有限公司授权不得商用。

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