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所公开的方法适合于制造诸如绝缘体上Ge(Si)结构或绝缘体上Ge结构的绝缘体上半导体结构。根据该方法，在包括锗缓冲层的硅衬底上沉积多层，该多层包含交替的层对，这些层对包括硅层以及包含锗和可选的硅的层。该多层结构以硅钝化层结束。在该多层内形成...
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