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公开了用于在IV族衬底(例如，硅、硅锗或锗衬底)上形成III族材料‑氮化物(III‑N)微机电系统(MEMS)结构的技术。在一些情况下，该技术包括在衬底上、以及任选地在浅沟槽隔离(STI)材料上形成III‑N层，然后通过蚀刻来释放III‑N...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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