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本发明涉及切割带一体型半导体背面用薄膜、和半导体装置的制造方法。本发明提供在刀片切割时能够减少在芯片侧面产生的龟裂的切割带一体型半导体背面用薄膜。本发明为切割带一体型半导体背面用薄膜，其具备：具有基材和在基材上形成的粘合剂层的切割带、以及在...
该专利属于日东电工株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日东电工株式会社授权不得商用。

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