切割带一体型半导体背面用薄膜、和半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及切割带一体型半导体背面用薄膜、和半导体装置的制造方法。本发明专利技术提供在刀片切割时能够减少在芯片侧面产生的龟裂的切割带一体型半导体背面用薄膜。本发明专利技术为切割带一体型半导体背面用薄膜，其具备：具有基材和在基材上形成的粘合剂层的切割带、以及在切割带的粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜，粘合剂层在紫外线照射后、在23℃下的拉伸模量为1MPa～200MPa。

The manufacturing method of thin film, and semiconductor device on the back of a type of semiconductor

The invention relates to a manufacturing method of a thin film on the back of a cut belt type semiconductor and a semiconductor device. The present invention provides a thin film on the back of a type semiconductor, which can reduce the crack of the chip on the side of the chip when the blade is cut. The invention is used for cutting film, with a semiconductor body having a cutting back belt, having a substrate and adhesive layer formed on the substrate and the thin film flip chip type semiconductor surface to form an adhesive layer in the cutting zone on the adhesive layer after UV irradiation at 23 DEG C, the tensile modulus is 1MPa ~ 200MPa.

【技术实现步骤摘要】
切割带一体型半导体背面用薄膜、和半导体装置的制造方法
本专利技术涉及切割带一体型半导体背面用薄膜以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
近年来，更进一步要求半导体装置及其封装体的薄型化、小型化。因此，作为半导体装置及其封装体，半导体芯片等半导体元件被倒装芯片连接在基板上的倒装芯片型的半导体装置得到广泛利用。该倒装芯片连接以半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形态进行固定。这种半导体装置等有时通过倒装芯片型半导体背面用薄膜保护半导体芯片的背面，防止半导体芯片的损伤等。迄今，存在将这种倒装芯片型半导体背面用薄膜贴合在切割带上制成一体型的切割带一体型半导体背面用薄膜(例如参见专利文献1)。作为使用了切割带一体型半导体背面用薄膜的半导体装置的制造方法，已知有在倒装芯片型半导体背面用薄膜上粘贴晶圆后，利用刀片切割晶圆的方法。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-175548号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，有时由于刀片切割时的冲击、摩擦而在芯片侧面产生龟裂。芯片侧面的龟裂有使可靠性降低的担心。用于解决问题的方案本专利技术人等为了解决前述问题而对切割带一体型半导体背面用薄膜进行了研究。其结果发现，通过采用下述方案，能够减少在刀片切割时在芯片侧面产生的龟裂，从而完成了本专利技术。即，第1本专利技术的切割带一体型半导体背面用薄膜的特征在于，具备：具有基材和在前述基材上形成的粘合剂层的切割带、以及在前述切割带的前述粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜，前述粘合剂层在紫外线照射后、在23℃下的拉伸模量为1MPa～200MPa。根据前述方案，粘合剂层在紫外线照射后、在23℃下的拉伸模量为1MPa～200MPa，紫外线照射后具有一定程度的硬度。因此，在对粘合剂层照射紫外线后进行刀片切割时，能够抑制刀片切割时的摩擦、冲击，能够减少在芯片侧面产生的龟裂。在前述方案中，优选至少前述粘合剂层的晶圆粘贴部在紫外线照射后、在23℃下的拉伸模量为1MPa～200MPa。至少前述粘合剂层的晶圆粘贴部在紫外线照射后、在23℃下的拉伸模量为1MPa～200MPa时，在对粘合剂层照射紫外线后进行刀片切割时，能够进一步减少在芯片侧面产生的龟裂。在前述方案中，对前述粘合剂层照射紫外线后的前述倒装芯片型半导体背面用薄膜和前述粘合剂层之间的23℃下的剥离力优选为0.01N/20mm以上且0.2N/20mm以下。对前述粘合剂层照射紫外线后的前述倒装芯片型半导体背面用薄膜和前述粘合剂层之间的23℃下的剥离力为0.01N/20mm以上且0.2N/20mm以下时，在对粘合剂层照射紫外线后进行刀片切割时，能够进一步减少在芯片侧面产生的龟裂。另外，能够适宜地拾取切割后的芯片。另外，第2本专利技术的切割带一体型半导体背面用薄膜的特征在于，具备：具有基材和在前述基材上形成的粘合剂层的切割带、以及在前述切割带的前述粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜，前述粘合剂层在23℃下的拉伸模量为1MPa～200MPa。根据前述方案，粘合剂层在23℃下的拉伸模量为1MPa～200MPa，具有一定程度的硬度。因此，能够抑制刀片切割时的摩擦、冲击，能够减少在芯片侧面产生的龟裂。在前述方案中，优选至少前述粘合剂层的晶圆粘贴部在23℃下的拉伸模量为1MPa～200MPa。至少前述粘合剂层的晶圆粘贴部在23℃下的拉伸模量为1MPa～200MPa时，能够进一步减少在刀片切割时在芯片侧面产生的龟裂。在前述方案中，前述倒装芯片型半导体背面用薄膜和前述粘合剂层之间的23℃下的剥离力优选为0.01N/20mm以上且0.2N/20mm以下。前述倒装芯片型半导体背面用薄膜和前述粘合剂层之间的23℃下的剥离力为0.01N/20mm以上且0.2N/20mm以下时，能够进一步减少在刀片切割时在芯片侧面产生的龟裂。另外，能够适宜地拾取切割后的芯片。另外，第3本专利技术的半导体装置的制造方法的特征在于，其是使用了前述切割带一体型半导体背面用薄膜的半导体装置的制造方法，该方法具备以下工序：工序A，在前述切割带一体型半导体背面用薄膜的前述倒装芯片型半导体背面用薄膜上粘贴半导体晶圆；工序B，对前述粘合剂层照射紫外线以使所述粘合剂层在23℃下的拉伸模量为1MPa～200MPa；工序C，在前述工序A和前述工序B之后，对前述半导体晶圆进行刀片切割而形成半导体元件；和工序D，将前述半导体元件与前述倒装芯片型半导体背面用薄膜一起从前述粘合剂层上剥离。根据前述方案，工序B之后的紫外线照射后的粘合剂层在23℃下的拉伸模量为1MPa～200MPa，因此具有一定程度的硬度。并且，在粘合剂层具有一定程度的硬度的状态(在23℃下的拉伸模量为1MPa～200MPa)下进行刀片切割，因此能够抑制刀片切割时的摩擦、冲击，能够减少在芯片侧面产生的龟裂。需要说明的是，对于前述工序A和前述工序B，可以先进行二者中的任一工序。附图说明图1是示出本专利技术的一实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜的一个例子的剖面示意图。图2是用于说明第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。图3是用于说明第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。图4是用于说明第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。图5是用于说明第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。图6是用于说明第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。图7是用于说明第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。附图标记说明1切割带一体型半导体背面用薄膜2切割带21基材22粘合剂层23对应于半导体晶圆的粘贴部分的部分40半导体背面用薄膜(倒装芯片型半导体背面用薄膜)4半导体晶圆5半导体芯片51在半导体芯片5的电路面侧形成的凸块6被粘物61被粘在被粘物6的连接焊盘上的接合用的导电材料具体实施方式(切割带一体型半导体背面用薄膜)以下参照附图对本专利技术的一个实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜进行说明。图1是示出本专利技术的一个实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜的一个例子的剖面示意图。如图1所示，切割带一体型半导体背面用薄膜1为具备在基材21上设置有粘合剂层22的切割带2以及倒装芯片型半导体背面用薄膜40(以下也称为“半导体背面用薄膜40”)的构成。此外，本专利技术的切割带一体型半导体背面用薄膜如图1所示，也可以是在切割带2的粘合剂层22上仅在对应于半导体晶圆的粘贴部分的部分23(以下也称为“晶圆粘贴部23”)形成有倒装芯片型半导体背面用薄膜40的构成，还可以是在粘合剂层的整面形成有半导体背面用薄膜的构成，此外，还可以是在大于对应于半导体晶圆的粘贴部分的部分且小于粘合剂层的整面的部分形成有半导体背面用薄膜的构成。需要说明的是，半导体背面用薄膜的表面(要粘贴到晶圆的背面的一侧的表面)可以在直到粘贴于晶圆背面的期间被隔离体等保护。(倒装芯片型半导体背面用薄膜)倒装芯片型半导体背面用薄膜40(半导体背面用薄膜40)优选含有热固性树脂和热塑性树脂来形成。作为前述热塑性树脂，例如可列举出：天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙、6,6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种切割带一体型半导体背面用薄膜，其特征在于，具备：具有基材和在所述基材上形成的粘合剂层的切割带、以及在所述切割带的所述粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜，所述粘合剂层在紫外线照射后、在23℃下的拉伸模量为1MPa～200MPa。

【技术特征摘要】
2016.07.29 JP 2016-1500611.一种切割带一体型半导体背面用薄膜，其特征在于，具备：具有基材和在所述基材上形成的粘合剂层的切割带、以及在所述切割带的所述粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜，所述粘合剂层在紫外线照射后、在23℃下的拉伸模量为1MPa～200MPa。2.根据权利要求1所述的切割带一体型半导体背面用薄膜，其特征在于，至少所述粘合剂层的晶圆粘贴部在紫外线照射后、在23℃下的拉伸模量为1MPa～200MPa。3.根据权利要求1或2所述的切割带一体型半导体背面用薄膜，其特征在于，对所述粘合剂层进行紫外线照射后的所述倒装芯片型半导体背面用薄膜和所述粘合剂层之间的23℃下的剥离力为0.01N/20mm以上且0.2N/20mm以下。4.一种切割带一体型半导体背面用薄膜，其特征在于，具备：具有基材和在所述基材上形成的粘合剂层的切割带、以及在所述切割带的所述粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：木村龙一，杉村敏正，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP