温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种晶圆混合键合中提高金属引线制程安全性的方法，属于半导体领域。所述方法包括：提供衬底；在衬底的上表面形成非金属层，并在非金属层中形成金属导体；在含有金属导体的非金属层的上表面形成含有两层氮化硅层和两层氧化硅层交错层叠的介电层；...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。