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本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心区和外围区，在所述核心区和外围区上形成有图形化的栅极叠层和有源区硬掩膜层，所述有源区硬掩膜层包括氧化物层和位于所述氧化物层之上的氮化物层；...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。