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本发明公开了一种由暴露（001）晶面超薄纳米页构筑的分级结构硫化镉纳米花及其制备方法。该分级结构硫化镉纳米花由厚度约2nm～4nm，暴露(001)晶面的超薄硫化镉纳米页组成，直径为300nm～1um，其比表面积高达107m...
该专利属于湘潭大学所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭大学授权不得商用。

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