一种由暴露（001）晶面超薄纳米页构筑的分级结构硫化镉纳米花及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种由暴露（001）晶面超薄纳米页构筑的分级结构硫化镉纳米花及其制备方法。该分级结构硫化镉纳米花由厚度约2nm～4nm，暴露(001)晶面的超薄硫化镉纳米页组成，直径为300nm～1um，其比表面积高达107m

A hierarchical structure of cadmium sulfide nanoscale constructed with exposed (001) crystal surface ultrathin nanoscale and its preparation method

The present invention discloses a hierarchical structure of cadmium sulfide nanoscale constructed by exposing (001) crystal surface ultrathin nanoscale and a preparation method. The hierarchical structure of cadmium sulfide nanomaterials is composed of ultra-thin cadmium sulfide nanoscale with a thickness of 2nm to 4nm and exposed to (001) crystal surface. The diameter is 300nm to 1um, and its specific surface area is as high as 107m.

【技术实现步骤摘要】
一种由暴露(001)晶面超薄纳米页构筑的分级结构硫化镉纳米花及其制备方法
本专利技术属于光催化纳米材料领域,具体涉及一种由暴露(001)晶面超薄纳米片构筑的分级结构硫化镉纳米花及其制备方法。
技术介绍
纳米材料的物理和化学性能在很大程度上取决于材料的形貌和尺寸，因此不同形貌结构的研究成为当今纳米科学与技术的前沿领域。CdS是一种重要的直接带隙半导体材料，具有独特的光学、电学和催化性能，在激光、发光二级管太阳能电池以及催化领域具有广阔的引用。因此，不同形貌CdS纳米结构的制备、物理和化学性能及其应用研究具有非常重要的科学意义。目前，常见CdS形貌主要有纳米棒、纳米管和纳米片等。随着研究的不断深入，纳米材料的结构日益多元化，人们发现以低维度为构筑单元，通过自组装而得到的具有特殊形貌和结构的复杂分级纳米结构具有更优的物理或化学性能，如比表面积大、不易团聚等优点。水热法和溶剂热法由于其操作简单、产品产率高和投入少等优势成为制备纳米材料的首选方法。目前复杂的CdS分级结构大多数是利用该法合成的。如Chen等人以硝酸镉为镉源，硫脲为硫源，六次甲基四胺为配位剂，在200度反应温度水热体系中制备出三本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种由暴露(001)晶面超薄纳米页构筑的分级结构硫化镉纳米花，其特征在于：所述的分级结构硫化镉纳米花由厚度为2nm～4nm的暴露(001)晶面超薄硫化镉纳米页组成。

【技术特征摘要】
1.一种由暴露(001)晶面超薄纳米页构筑的分级结构硫化镉纳米花，其特征在于：所述的分级结构硫化镉纳米花由厚度为2nm～4nm的暴露(001)晶面超薄硫化镉纳米页组成。2.如权利要求1所述一种由暴露(001)晶面超薄纳米页构筑的分级结构硫化镉纳米花，其特征在于：硫化镉的晶型为纤锌矿，分级结构硫化镉纳米花的直径为0.3um～1um。3.一种由暴露(001)晶面超薄纳米页构筑的分级结构硫化镉纳米花的制备方法，其特征在于：制备过程如下：a)将无机镉盐，去离子水，二亚乙基三胺和硫粉混合均匀；b)进行溶剂热反应，然后洗涤、干燥，即得暴露(001)晶面超薄纳米页构筑的分级结构硫化镉纳米花。4.如权利要求1所述的一种由暴露(001)晶面超薄纳米页构筑的分级结...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵才贤，陈烽，詹夏，易兰花，李靖娥，焦培鑫，罗和安，
申请(专利权)人：湘潭大学，
类型：发明
国别省市：湖南,43