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本发明提供了一种冷光片介电层的制备方法，其中，包括如下步骤：A、制备FeNi3合金亚微米球的步骤；B、对FeNi3合金亚微米球进行SiO2介电壳层包覆形成核壳结构的步骤；C、旋涂法制备介电层的步骤。本发明的优点为配比简单，制作方法简单，制得...
该专利属于北京晟顺普辉光电科技股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京晟顺普辉光电科技股份公司授权不得商用。

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