一种冷光片介电层的组织结构及介电层制备方法技术
The structure of a cold light dielectric layer and the preparation of dielectric layer
The present invention provides a method for preparing a sheet, a dielectric layer which comprises the following steps: A, preparation of FeNi3 alloy submicrospheres steps; B, FeNi3 alloy submicrospheres SiO2 dielectric layer to form a core-shell structure step; C, prepared by spin coating the dielectric layer step. The invention has the advantages of simple proportion, simple preparation method, good dielectric property of the dielectric layer, no agglomeration of micro nano particles and uniform luminescence.
【技术实现步骤摘要】
一种冷光片介电层的组织结构及介电层制备方法
本专利技术属于冷光片
，具体的涉及一种冷光片介电层的组织结构及介电层制备方法。
技术介绍
冷光片的初代产品为EL冷光片。随着科技进步出现了新型的LEC冷光片(LightEmittingCapacitor)。LEC冷光片与初代EL冷光片相比，具有超薄、可弯曲发光，不发热，工作状态无升温，光线均匀，抗震性好、功耗低，寿命长，裁剪后仍可发光，颜色丰富且识别度高等优点。LEC冷光片的封装结构，通常包括上下两层的胶膜，以及位于胶膜之间的背电极层，介电层，发光层，荧光粉层等，根据实现功能或效果的不同，添加不同的层级结构。这些层级结构中，介电层上的不同的组分变化以及制作方法不同都会带来介电层上微晶结构(或微纳米结构颗粒结构)的性状变化，这些形状变化可以有效解决微纳米颗粒间团聚现象问题(团聚现象对于发热电路来讲会造成热度不均，对于发光电路来讲会造成亮度不均的问题)。鉴于上述问题，本专利技术旨在研究一种配比简单，制作方法简单，制得的介电层介电性能好，且微纳米颗粒无团聚现象，发光均匀的一种冷光片介电层的组织结构及介电层制备方法。专利技...
【技术保护点】
一种冷光片介电层的组织结构，其特征在于，介电层的组织结构为若干微纳米颗粒构成，微纳米颗粒呈花状或球状。
【技术特征摘要】
1.一种冷光片介电层的组织结构，其特征在于，介电层的组织结构为若干微纳米颗粒构成，微纳米颗粒呈花状或球状。2.根据权利要求1所述冷光片介电层的组织结构，其特征在于，所述微纳米颗粒为经过SiO2颗粒膜包覆的FeNi3合金亚微米球。3.一种如根据权利要求1或2所述冷光片介电层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：A、制备FeNi3合金亚微米球的步骤；B、对FeNi3合金亚微米球进行SiO2介电壳层包覆形成核壳结构的步骤；C、旋涂法制备介电层的步骤。4.根据权利要求3所述冷光片介电层的制备方法，其特征在于，步骤A为；(1)、将20mmol氯化亚铁，60mmol氯化镍，80mmol柠檬酸钠溶于500mmol去离子水，得混合溶液；(2)、将混合溶液置于烧杯中，将烧杯置于水浴锅中，水浴锅温度80-82摄氏度，充分搅拌30-40分钟；(3)、将80mmol氢氧化钠和体积比50％的80ml水合肼溶于200ml去离子水中，待氢氧化钠充分溶解后，将其一滴一滴的滴入步骤(2)中水浴锅的烧杯中，滴加过程保持剧烈搅拌；(4)、滴加完成后，温度保持82摄氏度，持续搅拌3-3.5小时使其充分反应；反应完成后，将烧杯从水浴锅中取出自然冷却至室温；(5)、对步骤(4)所得物进行磁性分离，所得物分别用去离子水和酒精洗涤3-5次，再将洗涤后所得物置于烘干箱内68-72摄氏度干燥12-13小时，得到干燥的FeNi3合金亚微米球金属粉末。5.根据权利要求3所述冷光片介电层的制备方法，其特征在于，步骤B为：(6)、干燥的FeNi3合金亚微米球金属粉末10-15g，分散到6000-10000ml无水乙醇中，溶液...
【专利技术属性】
技术研发人员：张慧，任晓更，张健，宋国祥，张红文，
申请(专利权)人：北京晟顺普辉光电科技股份公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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