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半导体装置具有：漂移区；基区，其配置在漂移区上；发射区，其配置在基区上；内壁绝缘膜，其配置在槽的内壁，该槽从发射区的上表面延伸并贯通发射区和基区；栅电极，其与基区的侧面对置地配置在槽的侧面的内壁绝缘膜上；底面电极，其与栅电极绝缘分离地配置在...
该专利属于三垦电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三垦电气株式会社授权不得商用。

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