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本发明提供了一种FinFET半导体器件及其制造方法，在形成第一外延层之后，在半导体衬底上沉积第一介质层，包围第一外延层与第二鳍状物，然后通过对第二区域的第一介质层进行刻蚀，使得第二鳍状物的高度低于第二侧墙的高度，并且第一介质层的高度高于第二...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。