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本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：以暴露位于第二阱区上方的第一伪栅极结构的部分的图案化的掩膜层为掩膜，对暴露的第一伪栅极材料层进行第一导电类型杂质的离子注入；去除第二伪栅极材料层和部分第一伪栅极...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。