下载一种恢复NTD区熔单晶硅真实电阻率的退火方法的技术资料

文档序号:17157822

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本发明公开了一种恢复NTD区熔单晶硅真实电阻率的退火方法,包括如下步骤:A、对中子辐照掺杂后的区熔硅单晶进行腐蚀清洗表面;B、将清洗干净的硅单晶进行表面钝化处理;C、将钝化处理后的硅单晶装进通入氮气氛围的退火炉石英管中,进行较快速率的退火处...
该专利属于河北工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过河北工业大学授权不得商用。

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