温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

实施例包括一种装置，该装置包括：衬底；在衬底上的磁性隧道结（MTJ），该磁性隧道结包括固定层、自由层以及固定层和自由层之间的电介质层；以及第一合成反铁磁（SAF）层、第二SAF层以及在第一SAF层和第二SAF层之间的包括非磁性金属的中间层；...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。