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键合半导体结构的基于蚀刻停止区的制作制造技术
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文档序号:17144938
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公开了在很多器件制作应用中免除对SOI晶片的需求的键合半导体器件结构和器件结构制作过程。在一些示例中,在体半导体晶片上的有源器件结构的制作期间原位形成蚀刻停止层。蚀刻停止层使有源器件结构能够在有源器件结构键合到操纵晶片的层转移过程中与所述体...
该专利属于高通股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过高通股份有限公司授权不得商用。
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