下载使用MRAM堆叠设计实现的一次可编程存储器的技术资料

文档序号:17144760

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一种集成电路,包含由多个磁性OTP存储单元所形成的磁性OTP存储器阵列,磁性OTP存储单元具有包含固定磁性层、隧道势垒绝缘层、自由磁性层和第二电极的MTJ堆叠。当跨越磁性OTP存储单元施加电压时,MTJ堆叠和栅控晶体管的电阻形成分压器,以在...
该专利属于海德威科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过海德威科技公司授权不得商用。

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