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本发明涉及一种制备有机‑无机复合半导体单晶薄膜的空间限位溶剂辅助生长方法。首先将有机‑无机复合半导体多晶薄膜吸附一定量的溶剂蒸汽，再将抛光的盖片放置于薄膜表面，将多晶薄膜和盖片一起用柔性薄膜包封后放入高压热压釜内，用液态传压传热介质填满热压...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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