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本发明提供了一种内存晶体管及其形成方法、半导体器件。通过第二介电层形成于第一沟槽中栅极层上和第一介电层表面上，且第二介质层中具有空腔。因此本发明中的内存晶体管可以有效改善机械应力，并降低热过程对栅极引入的缺陷；而且通过空腔的引入，能够降低寄...
该专利属于睿力集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过睿力集成电路有限公司授权不得商用。

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