温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种锗硅源漏极及其制备方法。锗硅源漏极包括：硅基衬底，硅基衬底内形成第一器件区域和第二器件区域；栅极，设置在硅基衬底上；位于第一器件区域内的第一嵌入式结构及位于第二器件区域内的第二嵌入式结构，均嵌入锗硅材料。其中，第一嵌入式结构之...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。