下载用于形成含硅和氧的薄膜的汽相沉积方法的技术资料

文档序号:17142705

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披露了用于使用经单取代的TSA前体形成含硅和氧的膜的ALD方法。这些经单取代的TSA前体具有式:(SiH3)2N‑SiH2‑X,其中X是卤素原子或氨基。...
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