用于形成含硅和氧的薄膜的汽相沉积方法技术

披露了用于使用经单取代的TSA前体形成含硅和氧的膜的ALD方法。这些经单取代的TSA前体具有式：(SiH3)2N‑SiH2‑X，其中X是卤素原子或氨基。

Vapor deposition method for forming thin films containing silicon and oxygen

A ALD method is disclosed for the use of a single substituted TSA precursor to form a film containing silicon and oxygen. The mono substituted TSA precursor with formula: (SiH3) 2N SiH2 X, wherein X is a halogen atom or amino.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于形成含硅和氧的薄膜的汽相沉积方法相关申请的交叉引用本申请要求2016年3月30日提交的PCT申请号PCT/US2016/025010及2015年6月12日提交的美国申请号14/738,039号的权益，两者均以全文引用的方式通过引用结合在此用于所有目的。
披露了用于使用经单取代的TSA前体形成含硅和氧的膜的ALD方法。这些经单取代的TSA前体具有式：(SiH3)2N-SiH2-X，其中X是卤素原子或氨基。
技术介绍
已使用多种含硅前体、通过气相沉积法在各种基板上沉积含硅薄膜。选择适合硅前体及适当时选择共反应物通常根据以下来决定：目标膜组合物及特性，以及其上待沉积膜的基板所带来的限制。一些基板可能需要低温沉积方法。例如，在经有机膜涂布的塑料基板或硅基板上沉积可能需要沉积温度低于100℃(亦即20℃-100℃)，同时维持工业上所关注的合理沉积速率。此类膜不仅可以作为空间定义的平版印刷应用于半导体制造，而且用于密封有机发光二极管(OLED)装置或在膜上产生水分扩散阻挡。对不同温度范围的类似限制显现于半导体制造的不同步骤中，诸如金属、栅极隔片等上的封盖层。DNF有限公司的WO2015/19本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含硅和氧的膜的ALD形成方法，该方法包括以下步骤：通过将经单取代的TSA前体的蒸气和含氧反应物依次引入含有基板的反应器中将含硅和氧的膜沉积在该基板上，该经单取代的TSA前体具有式(SiH3)2N‑SiH2‑X，其中X是卤素原子或氨基[‑NR2]并且每个R独立地选自下组，该组由以下各项组成：H；C1‑C6烃基；或甲硅烷基[SiR’3]，其中每个R′独立地选自H或C1‑C6烃基。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.12 US 14/738,039;2016.03.30 US PCT/US2016/1.一种含硅和氧的膜的ALD形成方法，该方法包括以下步骤：通过将经单取代的TSA前体的蒸气和含氧反应物依次引入含有基板的反应器中将含硅和氧的膜沉积在该基板上，该经单取代的TSA前体具有式(SiH3)2N-SiH2-X，其中X是卤素原子或氨基[-NR2]并且每个R独立地选自下组，该组由以下各项组成：H；C1-C6烃基；或甲硅烷基[SiR’3]，其中每个R′独立地选自H或C1-C6烃基。2.如权利要求1所述的含硅和氧的膜的ALD形成方法，其中X是Cl。3.如权利要求1所述的含硅和氧的膜的ALD形成方法，其中X是NiPr2。4.如权利要求1所述的含硅和氧的膜的ALD形成方法，其中X是NEt2。5.如权利要求1所述的含硅和氧的膜的ALD形成方法，其中X是N(SiH3)2。6.如权利要求1至5中任一项所述的含硅和氧的膜的ALD形成方法，其中该含氧反应物选自下组，该组由以下各项组成：O2、O3、H2O、H2O2、NO、NO2、N2O、醇、二醇、羧酸、酮、醚、O原子、O自由基、O离子、以及其组合。7.如权利要求6所述的含硅和氧的膜的ALD形成方法，其中该含氧反应物是等离子体O2。8.如权利要求6所述的含硅和氧的膜的ALD形成方法，其中该含硅和氧的膜是氧化硅。9...

【专利技术属性】
技术研发人员：让马克·吉拉尔，张鹏，安东尼奥·桑切斯，马尼什·坎德尔沃，根纳迪·伊多，里诺·佩萨雷西，
申请(专利权)人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司，
类型：发明
国别省市：法国,FR