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本发明涉及一种半导体器件及其制造方法、电子装置。所述半导体器件包括：鳍片；栅极结构，位于所述鳍片的上方并环绕所述鳍片设置；虚拟鳍片，位于所述栅极结构两侧的源漏区域的外侧并且与所述鳍片间隔设置；源漏外延层，位于所述源漏区域上且沿所述栅极结构的...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。