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本发明公开一种半导体装置以及形成半导体装置的形成方法，该半导体装置包含第一及第二掺杂阱、源极区、漏极区、二栅极结构以及掺杂区。第一掺杂阱，是设置在一基底内且具有第一导电型式，而源极区则是设置在第一掺杂阱内。第二掺杂阱是设置在该基底内且邻接第...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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