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本发明提供了一种静电释放保护架构，包括多个晶粒DIE1…DIEn，其中n大于等于2；晶粒DIE1至晶粒DIEn‑1中的每个晶粒上具有虚拟电源线、正电源线、负电源线、静电释放电路、与虚拟电源线连接的用于内部键合线的第一焊盘、与负电源线连接的用...
该专利属于中颖电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中颖电子股份有限公司授权不得商用。

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