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本发明提供的高压功率器件的终端结构的制作方法，通过在氧化薄膜层的表面依次淀积硼磷硅玻璃层、氮化硅层和磷硅玻璃层，减小了在深槽刻蚀时所需的氧化薄膜层的厚度，有效缩短了制备周期，提高了产能。并且在向深槽表面涂覆填充材料之前，先对深槽表面进行软刻...该专利属于成都迈斯派尔半导体有限公司;全球能源互联网研究院有限公司;国家电网公司;国网山东省电力公司电力科学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过成都迈斯派尔半导体有限公司;全球能源互联网研究院有限公司;国家电网公司;国网山东省电力公司电力科学研究院授权不得商用。