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本申请提供了一种用于3D NANAD存储器的金属栅层结构及其形成方法。通过本申请实施例提供的用于3D NAND存储器的金属栅层结构的形成方法形成的每层金属栅层中，其在台阶面处的厚度大于非台阶面处的厚度，由于垂直金属连线与台阶面处的金属栅层连...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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