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本发明公开了一种静电放电保护电路及其制作方法，其制作方法包括提供一半导体衬底，在所述半导体衬底中形成阱；在所述阱上形成栅极；在所述阱中进行源漏区注入，形成源极和漏极；以及通过一特定掩模板对所述漏极进行ESD注入，在所述漏极下方形成ESD注入...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。