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提供了一种半导体结构，所述半导体结构包含具有端壁(15W)并从衬底(10)向上延伸的半导体鳍部分(14P)。栅极结构(16)跨越所述半导体鳍部分(14P)的一部分。第一组栅极间隔物(24P/50P)位于栅极结构(16L/16R)的相对侧壁表...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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