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本发明公开了一种垂直沟道结构的双电层薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管自下而上依次包括衬底、栅电极层、电解质栅介质层、源电极层、半导体沟道层、漏电极，源电极层设置于电解质栅介质层的上方；半导体沟道层设置于源电极层的上方；漏电极设置于半导...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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