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本发明提供了一种低温多晶硅阵列基板，包括基板、设于基板上的凹槽、设于基板上的缓冲层、设于缓冲层上的多晶硅有源层，所述凹槽位于薄膜晶体管的沟道处，所述缓冲层覆盖凹槽，使凹槽内形成空气层。本发明还提供了一种低温多晶硅阵列基板的制作方法，主要包括...
该专利属于武汉华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电技术有限公司授权不得商用。

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