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本发明实施例提供一种3D NAND器件中沟道层的形成方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有堆叠层、所述堆叠层中的沟道孔以及所述沟道孔内壁上的电荷捕获层，所述堆叠层由氮化硅层和氧化硅层交替层叠而成，在沟道孔的侧壁上形成第一多晶硅层，将所...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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