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本发明的非易失性半导体存储装置(10)包括：存储器阵列(20)，包含多个存储元件；选择部件，基于地址数据来选择所述存储器阵列的存储元件；模式选择部(30)，选择RAM模式与快闪模式中的任一个，所述RAM模式是根据写入数据而使存储元件的数据能...
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